ОСНОВАНИЯ Термоэлектроники

Опубликовано 25.03.2023
Станислав Ордин   |   просмотров - 621,   комментариев - 0
Абстракт.

   Построение основ Термоэлектроники стало возможно лишь после исправления термодинамических ошибок в традиционной теории полупроводниковой электроники. Именно эти ошибки и определили выход на асимптотики рабочих параметров полупроводниковых электронных приборов, в частности, насыщение предельной тактовой частоты процессоров. Но в полупроводниках, хотя эти термодинамические ошибки проявились не только в приборном, но и в технологическом аспекте, саму полупроводниковую электронику они не запрещали. Просто в теории полупроводниковых приборов был ряд качественных ошибок, которые практики компенсировали «эмпирическими поправками». Так что электронщик нередко делали устройства не по строгой теории (которой просто до сих пор не было), а по наитию и по эмпирическим локальным закономерностям. При этом, как показано в этой работе, сама энергетическая зонная диаграмма контактов полупроводников строилась с существенным упущением – без учёта температурной силы на контакте.
  Эта грубая ошибка усугублялось ещё и тем, что ВСЯ физика Твёрдого Тела «застряла» на использовании плоских электронных орбиталей, которые Паулинг ввёл для «двумерного» графита и за которые получил Нобелевскую премию. Но, сам же Паулинг, как честный учёный, обнаружив свою ошибку, попытался её исправить, введя «кривые» орбитали и для самого графита [1]. Теперь же, после восстановления Планк-Эйнштейновского Квантования, показано как получить правильные орбитали вместо мистических волновых функций Шредингера [2, 3, 4]. Но это следующий этап строго расширения на базе полученных ОСНОВАНИЙ феноменологии Электроники до феноменологии Термоэлектроники и до построения строгой теории полупроводниковых приборов.

Прикреплённые файлы:

1

Комментарии:

Пока комментариев нет. Станьте первым!